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用料扎實(shí)布局合理 愛(ài)可C905t雙核MID拆解

  • 由于目前同質(zhì)化非常嚴(yán)重的小數(shù)碼產(chǎn)業(yè)，消費(fèi)者僅從外觀，已經(jīng)很難看出產(chǎn)品真正的優(yōu)劣差異。例如IC、WIFI、FLASH品牌，主板的用料、布局等等，下面我們以愛(ài)可C905t為例，看看一款用料扎實(shí)、布局合理的產(chǎn)品應(yīng)該具備哪些素質(zhì)。     1、NS115主控方案芯片。NS115功耗為400mw，板機(jī)功耗2W。芯片中采用了DVFS、Multi-Vt和Multi-Vd等電源管理技術(shù)，動(dòng)態(tài)合理分配與安排電源電壓的使用情況，在對(duì)芯片的不用使用率下，采用不用的頻率進(jìn)行動(dòng)態(tài)分配。NS115封裝采
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愛(ài)可C905t 雙核產(chǎn)品拆解

  • 由于目前同質(zhì)化非常嚴(yán)重的小數(shù)碼產(chǎn)業(yè)，消費(fèi)者僅從外觀，已經(jīng)很難看出產(chǎn)品真正的優(yōu)劣差異。例如IC、WIFI、FLASH品牌，主板的用料、布局等等，下面我們以愛(ài)可C905t為例，看看一款用料扎實(shí)、布局合理的產(chǎn)品應(yīng)該具備哪些素質(zhì)。 　　1、NS115主控方案芯片。NS115功耗為400mw，板機(jī)功耗2W。芯片中采用了DVFS、Multi-Vt和Multi-Vd等電源管理技術(shù)，動(dòng)態(tài)合理分配與安排電源電壓的使用情況，在對(duì)芯片的不用使用率下，采用不用的頻率進(jìn)行動(dòng)態(tài)分配。NS115封裝采用了0.8mm的球距，減少了漏電
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  • 由于目前同質(zhì)化非常嚴(yán)重的小數(shù)碼產(chǎn)業(yè)，消費(fèi)者僅從外觀，已經(jīng)很難看出產(chǎn)品真正的優(yōu)劣差異。例如IC、WIFI、FLASH品牌，主板的用料、布局等等，下面我們以愛(ài)可C905t為例，看看一款用料扎實(shí)、布局合理的產(chǎn)品應(yīng)該具備哪些素質(zhì)。 NS115主控方案芯片。NS115功耗為400mw，板機(jī)功耗2W。芯片中采用了DVFS、Multi-Vt和Multi-Vd等電源管理技術(shù)，動(dòng)態(tài)合理分配與安排電源電壓的使用情況，在對(duì)芯片的不用使用率下，采用不用的頻率進(jìn)行動(dòng)態(tài)分配。NS115封裝采用了0.8mm的球距，減少了漏電等因素對(duì)
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  • 　　由于目前同質(zhì)化非常嚴(yán)重的小數(shù)碼產(chǎn)業(yè)，消費(fèi)者僅從外觀，已經(jīng)很難看出產(chǎn)品真正的優(yōu)劣差異。例如IC、WIFI、FLASH品牌，主板的用料、布局等等，下面我們以愛(ài)可C905t為例，看看一款用料扎實(shí)、布局合理的產(chǎn)品應(yīng)該具備哪些素質(zhì)。 　　NS115主控方案芯片。NS115功耗為400mw，板機(jī)功耗2W。芯片中采用了DVFS、Multi-Vt和Multi-Vd等電源管理技術(shù)，動(dòng)態(tài)合理分配與安排電源電壓的使用情況，在對(duì)芯片的不用使用率下，采用不用的頻率進(jìn)行動(dòng)態(tài)分配。NS115封裝采用了0.8mm的球距，減少了漏電
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